PW3400A芯片30V6A的NMOS管
2023-12-06 11:31:44
晓红
  • 楼主
  • 注册日期: 2021-12-07
  • 最后登录: 2023-12-07
  • 我的积分: 365
PW3400A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
回贴
沙发
2023-12-06 11:32:40
晓红
  • 楼主
  • 注册日期: 2021-12-07
  • 最后登录: 2023-12-07
  • 我的积分: 365
PW3400A采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压
PW3400A基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V
PW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。

0dd7912397dda1442c705d065604d3a50df48647

                                                                         PW3400A芯片A09T

14ce36d3d539b6002f896ded05e3362dc75cb75b

                                                                                           PW3400A规格书1

c995d143ad4bd11384a785fcb61ca70849fb05d4

                                                                                 PW3400A规格书2

3bf33a87e950352a98a9013abef0f8f5b3118b76

                                                                                       PW3400A规格书3

6f061d950a7b0208891d42e9876af1d4562cc819

                                                                                   PW3400A规格书4

d043ad4bd11373f0a8eb88794bbc48fcf9ed04be

                                                                                   PW3400A规格书5

回贴
1/1
页尾说明