A09T贴片三极管，A09T芯片怎么测试好坏的方法 - 产品供应 - 芯片模块网

A09T是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。

A09T具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压

A09T基本参数：VDS = 30V， ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V

A09T采用SOT23-3L环保材质的封装形式。

通过利用 MOS 管的开关特性，利用基础设备。测试 MOS 三大参数。来判断mos关的性能。

VTH 测试方法：

V2 电压从 0 慢慢往上调，直到万用表响，此时 V2 显示的电压为该 mos 的 VTH。

RDSON 测试方法：

V1 电源设为 10V， V2 电源设为 5V 以内，限流设为 200mA，

V4 通电， V1 通电，使 MOS 管导通，用万用表测 MOS 管 DS 之间压降△VDS。（万用表调至 mV 档）

根据公式计算： RDSON(VGS=4.5V)=△VDS÷200mA

测 RDSON(VGS=4.5V),把 V1 设 4.5V 即可。

VDS 测试方法：

把 V3 电源电流限流在 250uA，把 V3 电压从 0 慢慢往上调，直到电源显示有负载电流，此时 V3 显示的电压为该 mos 的 VDS 最大值。