8205A8八脚TSSOP8封装双NMOS管
2023-11-25 15:39:02
晓红
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8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A5采用SOT23-6封装。
8205A8常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。
8205A8的基本参数：VDS = 20V,ID = 6A ， RDS(ON) < 27 m @ VGS=4.5V

RDS(ON) < 37 m @ VGS=2.5V


晓红 最后编辑, 2023-11-25 15:45:21
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沙发
2023-11-25 15:47:17
晓红
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8205A8采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。8205A8是一颗双N沟道的低内阻场效应MOS管。双MOS的D极内部是连接在一起的。8205A5采用SOT23-6封装。
8205A8常常于DW01搭配组成一套完整的锂电池充电放电保护电路系列。
8205A8的基本参数：VDS = 20V,ID = 6A ， RDS(ON) < 27 m @ VGS=4.5V
RDS(ON) < 37 m @ VGS=2.5V
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晓红 最后编辑, 2023-11-25 15:48:47
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